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高性能离线式 PWM 开关电源控制器——FSD22A

发布时间： 2021-04-09

꧁产品概述꧂

FSD22A 为高性能离线式 PWM 开关电源控制器，满足绿色环保标准；电路内置高压启动回路、软启动回路和多重保护功能，具有简化的应用外围和极高的可靠性。在一定的使用条件下，此电路也可作为非隔离应用方案使用。FSD22A采用DIP-8封装，适用于小功率离线式开关电源和各类经济型开关电源中。FSD22A芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。

꧁主要特点꧂

☪内置 800V 功率 MOSFET

☪内置高压启动回路

☪输入电压（85V~265V）全电压范围

☪锁存脉宽调制，逐脉冲限流检测

☪软启动功能

☪内置过载、过温、VDD 过压、输出开/短路保护功能

☪具有频率调制和抖频功能，具有较好的电磁干扰 (EMI) 兼容性

☪空载功耗小于0.15W，220VAC 输入时小于0.1W

꧁典型应用꧂

■电磁炉电源

■机顶盒电源

■充电器电源

■小家电辅助电源

■适用于全电压范围内12W 使用

典型应用图

꧁引脚功能꧂

꧁电路功能框图꧂

꧁电气参数参考值꧂

꧁最大额定值꧂

꧁封装外形及尺寸꧂

꧁功能描述꧂

FSD22A 内部集成高压启动电路，启动时SW 脚对 VDD 电源提供充电电流。当 VDD 电压达到 VSTART 电压时，内部高压启动电路关闭，VDD 电容的能量由变换器提供；当 VDD 电压低于 VSTOP ，芯片并不会马上重新启动，只有当 VDD 电压低到 VRST 时，高压启动管开启并为 VDD 电容充电，直至 VDD 电压达到VSTART。

启动电路

启动阶段，漏极的最大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为7.5ms。

FSD22A采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低的损耗。

FSD22A的振荡频率固定在60kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善EMI特性。

反馈脚通过控制 MOSFET 的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式 PWM 控制电路，FSD22A采用电流控制方式，通过内部采样管得到流过功率MOS的电流。从COMP脚流入的电流通过R2进行采样，采样电压（VR2）跟内部基准 VR1 比较；当 VR2 的电压超过内部基准电压时，则关断 MOSFET 实现环路的控制。

反馈电路

由于SW脚的寄生电容，当MOS开通瞬间存在较大的峰值电流，如果采样MOSFET采样到该信号，芯片会过入过流保护状态。为了防止MOS开通瞬间引起电路误触发，过流保护电路在功率管开通一段时间（典型值650ns）后才开始工作。

由于异常情况导致功率管被关闭后，VDD脚电压由于没有提供能量将会一直下降，当 VDD 电压下降到VDD 重新启动电压（VRST，典型值 6V）时，欠压锁定电路被复位，内部高压电流源重新开始给 VDD 提供能量。直至VDD电压上升到欠压锁定解除点（典型值 14.5V）时，芯片开始正常工作，功率管正常开启和关闭。通过这种控制方法，芯片在异常情况消除后能自动重启动。

功率MOSFET和控制芯片集成在一起，能保证温度采样电路更准确的采样功率管的温度信号，从而更及时地对功率管进行保护。当芯片结温超过170℃时（典型值），芯片进入过温保护状态；直至结温回到140℃（典型值）时，芯片重新开始工作。温度保护存在滞回，保证芯片不会出现热振荡现象。

꧁产品实物꧂

꧁关于飞事达꧂

深圳市飞事达电子有限公司(FEASTA)成立于2013年，是一家专业致力于集成电路芯片研发、应用方案开发和销售服务的高科技创新企业。公司总部位于深圳市福田区华强北街道华航社区华富路 1006 号航都大厦20 层 COE，并在深圳福田、深圳宝安和中山等分别设有销售服务中心。公司专注于开发电源管理和驱动芯片，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供高性价比的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。公司现时产品研发领域包括AC-DC、DC-DC、Transistor、LED Driver、Charger、MOSFET、IGBT等，广泛应用于适配器、监控电源、充电器、移动电源、机顶盒、小家电、智能家用设备等领域，公司品牌卓越，受到国内众多品牌用户的拥戴。
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